目前平板显示技术包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示器(PDP)、发光二极管(LED)显示器、有机发光显示器(OLED)、场致发射显示器(FED)、数字微镜显示器(DLP)、电子纸(E—PAPER)等等。该文介绍并比较了各种平板显示技术的原理、特点以及目前平板显示技术的发展状况，总结了各种平板显示器的发展前景。
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基于非线性光学原理,周期性金属纳米结构与非线性光学材料复合可以实现全光开关。通过数值模拟周期性金属纳米结构附近的电磁场可知,周期性金属纳米结构的表面等离子体激元有着明显的局域场增强特性。这种强的局域场可以大大增加非线性材料的三阶非线性效应,使全光调控现象更明显,从而降低开关的阈值功率,并实现超快的响应速度,有望在将来全光通信网络中得到广泛应用。
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都是电视显示屏幕的一种技术，从耗电功率看，短时间内等离子是最大的，不过它是随着画质变化而波动的，实际功耗以看什么画面的节目来定，和冰箱空调变频的概念差不多;LED相对最小。不过由于液晶LCD、LED的功率都是恒定的，长时间平均起来3种屏幕的功耗差不太多，等离子略高一些。
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为了比较简单地在同一外延片上得到具有不同带隙结构的有源器件与无源器件的ＰＩＣ（光子集成电路）和ＯＥＩＣ（光电 子集成电路），采用等离子诱导ＱＷＩ（量子阱混杂）与ＲＴＡ
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激光等离子体推进器是一种应用于微卫星的质量小、效率高、寿命长的微推力器。这种微推力器工作原理与普通的激光推进原理一样, 都是以激光器作为能源。
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从激光技术的发展、超短超强激光等离子体相互作用研究的特点、方法、内容及其潜在的应用等5个方面对强场物理在国内外的情况作了论述，进一步指出强场物理的实验研究及其应用依赖于激光装置的发展...
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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN 薄膜的退火特性. 通过椭圆偏振光仪测量了薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高; 采用准稳态光电导衰减QSSPCD 测少数载流子寿命,发现少子寿命有很大程度的下降. 还研究了SiN 薄膜对多晶硅电池性
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国内少有的介绍ICP-MS技术的书，值得一看
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采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,在相对较高气压和较高功率条件下,制备了不同硅烷浓度的微晶硅材料. 材料沉积速率随硅烷浓度的增加而增大,通过对材料的电学特性和结构特性的分析得知:获得了沉积速率超过1nm/ s 高速率器件质量级微晶硅薄膜,并且也初步获得了效率达613 %的高沉积速率微晶硅太阳电池.
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Centrotherm PECVD系统是管式系统，采用平行式石墨舟和低频（40kHz）激发等离子体放电。在低压和高温的条件下，等离子体在石墨舟的石墨惦记之间激发。反应的气体是硅烷和氨气。这些气体反应之后沉积到衬底（硅片）上，形成氮化硅薄膜。薄膜的折射率可以通过调整两种气体的比例而调整。
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在等离子增强化学气相沉积法（PECVD）沉积SiO2 和SiNX 掩蔽层过程中， 分解等离子体中浓度较高的H 原子使Mg- 受主钝化， 同时在p！GaN 材料表面发生反应形成浅施主特性的N+V 空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO2 和SiNX 材料， 阻碍了H 原子向外扩散， 使H 原子在Ni/Au 电极与p！GaN 的界面处聚集， 造成p！GaN
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等离子增强化学气相淀积（P lasma2enhanced Chem ical V aper Depo sit ion， PECVD ）SiN x 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要。 它的一个重要的物理参数—— 机械应力， 也逐渐被人们所重视。 本文研究了应力跟一些基本的淀积条件如温度、压力、气体流量等之间的关系.
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以NH3 和SiH4 为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD) 法在多晶硅(p2Si) 衬底上沉积了SiNx 薄膜。系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx 薄膜界面特性的影响。
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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / (a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。
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